易于使用的集成“即插即用”配置用于前照燈系統(tǒng)
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VD 產(chǎn)品采用大功率陶瓷3535封裝技術+硅襯底UV LED芯片,主要供應UVA波段365-375nm/390-400nm。
3535陶瓷封裝,易匹配市面現(xiàn)有PCB焊盤設計--通用性設計
UVA紫外線/紫光高輻射&高純度輸出
120°一次光學透鏡出光設計
超高的性價比&極佳的可靠性
大功率陶瓷封裝,高紫外線/紫光輻射能量
硅垂直芯片
尺寸:3.5x3.5mmx2.3mm
8KV靜電保護
支持表面貼片技術(SMT)
電性參數(shù):(T solder pad =25℃,IF=350mA) | ||||||
產(chǎn)品型號 | 峰值波長 (nm) | 總輻射能量 (mW) | 電壓 (V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 電流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VD-Y | 395 (390-400nm) | 400-700 | 3.3 | 3.8 | 120° | 350 |
370 (365-375nm) | 300-500 | 3.6 | 4 | 120° | 350 |
VF 產(chǎn)品采用大功率陶瓷3535封裝技術+硅基UVLED芯片,主要供應UVA波段365-375nm/410-425nm。
3535陶瓷封裝,易匹配市面現(xiàn)有PCB焊盤設計--通用性設計
UVA紫外線/紫光高輻射&高純度輸出
120°一次光學透鏡出光設計
超高的性價比&極佳的可靠性
大功率陶瓷封裝,高紫外線/紫光輻射能量,硅垂直芯片
尺寸:3.5x3.5mmx2.3mm
8KV靜電保護
支持表面貼片技術(SMT)
電性參數(shù): (T solder pad =25 ℃,IF=500mA) | ||||||
產(chǎn)品型號 | 峰值波長 (nm) | 總輻射能量 (mW) | 電壓(V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 電流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VF-D | 415 (410-425nm) | 800-1000 | 3.2 | 3.6 | 120° | 500 |
VF-Y | 370 (365-375nm) | 500-800 | 3.6 | 4.0 | 120° | 500 |
VE 產(chǎn)品采用大功率陶瓷3535封裝技術+硅基UV LED芯片,供應UVA全部主要波段諸如:365nm/385nm/395nm/405nm。
3535陶瓷封裝,易匹配市面現(xiàn)有PCB焊盤設計--通用性設計
UVA紫外線/紫光高輻射&高純度輸出
120°類朗伯球出光設計---更適合二次配光結構設計
超高的性價比&極佳的可靠性
大功率陶瓷封裝,高紫外線/紫光輻射能量,硅垂直芯片
尺寸:3.5x3.5mmx2.3mm
8KV靜電保護
支持表面貼片技術(SMT)
電性參數(shù): (T solder pad =25 ℃,IF=500mA) | ||||||
產(chǎn)品型號 | 峰值波長 (nm) | 總輻射能量 (mW) | 電壓 (V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 電流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VE-G | 405 (400-405nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 120° | 500 |
395 (390-400nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 120° | 500 | |
385 (380-390nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 120° | 500 | |
370 (365-375nm) | 600-900 | 3.6 | 4 | 120° | 500 |
VS 產(chǎn)品采用大功率陶瓷3535封裝技術+硅基UV LED芯片,供應UVA全部主要波段諸如:365nm/385nm/395nm/405nm。
3535陶瓷封裝,易匹配市面現(xiàn)有PCB焊盤設計--通用性設計
UVA紫外線/紫光高輻射&高純度輸出
55°小角度一次光學透鏡出光設計---更高的中心輻射照度
超高的性價比&極佳的可靠性
大功率陶瓷封裝,高紫外線/紫光輻射能量,硅垂直芯片
尺寸:3.5x3.5mmx3.1mm
8KV靜電保護
支持表面貼片技術(SMT)
電性參數(shù):(T solder pad =25 ℃,IF=500mA) | ||||||
產(chǎn)品型號 | 峰值波長 (nm) | 總輻射能量 (mW) | 電壓 (V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 電流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VS-G | 405 (400-405nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 55° | 500 |
395 (390-400nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 55° | 500 | |
385 (380-390nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 55° | 500 | |
370 (365-375nm) | 600-900 | 3.6 | 4 | 55° | 500 |
VG 產(chǎn)品采用玻璃透鏡+大功率3D陶瓷封裝技術+硅基UV LED芯片,主要供應UVA波段有:380-390nm & 390-400nm。
3838陶瓷封裝(3535焊盤結構設計),易匹配市面現(xiàn)有PCB焊盤設計--通用性設計
UVA紫外線/紫光高輻射&高純度輸出
45°小角度一次光學出光設計---超高中心輻射照度
超高的性價比&極佳的可靠性
大功率3D陶瓷封裝,玻璃透鏡,硅垂直芯片
尺寸:3.85x3.85mmx3.1mm
8KV靜電保護
支持表面貼片技術(SMT)
電性參數(shù): (T solder pad =25 ℃,IF=1000mA) | ||||||
產(chǎn)品型號 | 峰值波長 (nm) | 總輻射能量 (mW) | 電壓(V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 電流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VG-G6F (玻璃透鏡) | 395 (390-400nm) | 1800-2000 | 3.4 | 4.2 | 45° | 1000 |
385 (380-390nm) | 1800-2000 | 3.4 | 4.2 | 45° | 1000 |
VN 產(chǎn)品采用玻璃透鏡+大功率3D陶瓷封裝技術+硅基UV LED芯片,主要供應UVA波段有:380-390nm & 390-400nm。
7070陶瓷封裝,易匹配市面現(xiàn)有PCB焊盤設計--通用性設計
UVA紫外線/紫光高輻射&高純度輸出
68°小角度一次光學出光設計---超高中心輻射照度
超高的性價比&極佳的可靠性
大功率3D陶瓷封裝, 玻璃透鏡
高紫外線/紫光輻射能量,硅垂直芯片
尺寸:7.0x7.0mmx4.77mm
8KV靜電保護
支持表面貼片技術(SMT)
電性參數(shù):(T solder pad =25 ℃,IF=1500mA) | ||||||
產(chǎn)品型號 | 峰值波長 (nm) | 總輻射能量 (mW) | 電壓 (V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 電流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VN-G (玻璃透鏡) | 395 (390-400nm) | 4000-5000 | 6.8 | 7.5 | 68° | 1500 |
385 (380-390nm) | 4000-5000 | 6.8 | 7.5 | 68° | 1500 |
EU產(chǎn)品采用中小功率EMC封裝技術+硅基&藍寶石UV LED芯片,主要供應UVA波段有:365-375nm 。
EMC3030封裝,易匹配市面現(xiàn)有PCB焊盤設計--通用性設計
UVA紫外線/紫光高輻射&高純度輸出
90°一次光學出光設計
超高的性價比&極佳的可靠性
EMC封裝,高紫外線/紫光輻射能量, 寬光譜,硅垂直芯片
尺寸:3.0mmx3.0mmx1.82mm
8KV靜電保護
支持表面貼片技術(SMT)
電性參數(shù) (T solder pad =25 ℃,IF=150mA) | ||||||
產(chǎn)品型號 | 峰值波長 (nm) | 總輻射能量 (mW) | 電壓(V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 電流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
EU-A | 370 (365-375nm) | 100-300 | 3.4 | 4 | 90° | 150 |
EM產(chǎn)品采用中小功率EMC封裝技術+硅基 & 藍寶石UV LED芯片,主要供應UVA波段有:365-375nm + 395-405nm 混波波長(雙波峰產(chǎn)品)。
EMC3030封裝,易匹配市面現(xiàn)有PCB焊盤設計--通用性設計
UVA紫外線/紫光高輻射&高純度輸出
90-100°一次光學出光設計
超高的性價比&極佳的可靠性
EMC封裝,高紫外線/紫光輻射能量, 寬光譜
硅垂直芯片+17*19mil 藍寶石芯片
尺寸:3.0mmx3.0mmx1.82mm
支持表面貼片技術(SMT)
電性參數(shù):(T solder pad =25 ℃,IF=90mA) | ||||||
產(chǎn)品型號 | 峰值波長 (nm) | 總輻射能量 (mW) | 電壓 (V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 電流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
EM30-NA | 365-405 (多峰值混波) | 100-300 | 6.8 | 7.5 | 90-100° | 90 |
LP-UVM6025150A1采用垂直結構硅襯底大功率紫外LED芯片,基板線路設計靈活,在小的發(fā)光區(qū)內(nèi)可實現(xiàn)高密度的紫外光輸出,焊線具有高可靠性,產(chǎn)品的尺寸功率可根據(jù)客戶要求定制。
采用陶瓷基板,導熱性能好
垂直結構紫外芯片發(fā)光,能量密度集中
獨特的芯片焊線設計 ,高可靠性
光電參數(shù): (T solder pad =25 ℃) | ||||
光區(qū)面積 (mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (W/cm2) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1800mA*3 | ||||
27.6*25 | 390~395 | ≥15 | 28 | 150 |
LP-UVM5535180A1采用垂直結構硅襯底大功率紫外LED芯片,基板線路設計靈活,在小的發(fā)光區(qū)內(nèi)可實現(xiàn)高密度的紫外光輸出,焊線具有高可靠性,產(chǎn)品的尺寸功率可根據(jù)客戶要求定制。
采用陶瓷基板,導熱性能好??
垂直結構紫外芯片發(fā)光,能量密度集中??
獨特的芯片焊線設計,高可靠性??
光電參數(shù):?(T solder pad =25 ℃)??? | ||||
光區(qū)面積 (mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (W/cm2) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1500mA | ||||
33.96*28.3 | 390~395 | ≥15 | 140 | 180 |