12月28日，阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢，為后疫情時(shí)代基礎(chǔ)技術(shù)及科技產(chǎn)業(yè)將如何發(fā)展提供了全新預(yù)測。

“以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)”位列趨勢之首。

阿里巴巴達(dá)摩院認(rèn)為：以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，但受工藝、成本等因素限制，多年來僅限于小范圍應(yīng)用。

近年來，隨著材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，并正在打開應(yīng)用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。

未來五年，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景。

晶能光電專注于硅襯底氮化鎵技術(shù)近二十年，在全球率先實(shí)現(xiàn)了硅襯底GaN基LED的產(chǎn)業(yè)化，開創(chuàng)了GaN基LED第三條技術(shù)路線，獲得2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎。在移動照明、手機(jī)閃光燈、紫外工業(yè)固化、汽車照明等高端應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了核心器件進(jìn)口替代。晶能光電正在將具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的硅襯底氮化鎵技術(shù)優(yōu)勢延伸至第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率和射頻器件領(lǐng)域，在國家“863”計(jì)劃等項(xiàng)目的支持下，晶能光電突破了8英寸硅襯底高質(zhì)量的GaN材料和器件結(jié)構(gòu)生長，技術(shù)水平在氮化鎵材料領(lǐng)域處于領(lǐng)跑位置。